龚道本

作品数:7被引量:4H指数:1
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供职机构:中南民族学院电子信息工程学院物理系更多>>
发文主题:二极管肖特基势垒势垒电容整流接触更多>>
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紫外敏感硅光伏二极管的光电转换特性的研究
《中南民族学院学报(自然科学版)》1999年第1期9-12,共4页龚道本 
在理论分析的基础上提出了用C-V法测量光伏二极管的开路电压Voc的新方法,通过该器件在有光照时的C-V曲线与无光照时的C-V曲线的比较分析,发现了该器件在正、反向偏压下均具有光伏效应。
关键词:光伏二极管 光伏效应 光电转换  光生电压 
紫外敏感硅光伏二极管的正向特性被引量:3
《半导体光电》1998年第5期314-317,共4页龚道本 
通过实验发现高阻衬底浅结的紫外敏感硅光伏二极管的正向偏置C-V特性和I-V特性与一般PN结二极管的正向特性有明显地不同。文章在理论分析的基础上提出了该器件的一种新的模型—─两个背靠背的二极管和一个电阻的串联,能很好地...
关键词:肖特基势垒 二极管 势垒电容 整流接触 
一种新型的PIP电容器的设想及其理论分析被引量:1
《半导体光电》1997年第6期411-413,共3页龚道本 
提出了一种新型的电容器———PIP电容器,它是一种压控电容器,通过控制外加电压(V)可以控制其电容(C)的值。电容在V=0附近出现峰值Cmax,且随着|V|的增加C总是减少的,这是一种新型的电子器件。
关键词:PIP电容器 等效电容 耗尽层电容 绝缘层电容 
无触点功率调节器的设计
《中南民族学院学报(自然科学版)》1997年第2期32-35,共4页龚道本 
提出了一种新型的安全的无触点大功率调节装置,功率从设备的最小功率到最大功率连续可调,使用安全可靠。
关键词:功率调节器 定时器 调节器 无触点调节器 
利用MSOS电容器测量a-Si:H薄膜的厚度
《中南民族学院学报(自然科学版)》1996年第3期18-21,共4页龚道本 
由金属-非晶态半导体-氧化物-半导体等4层结构组成的MSOS电容器,它的正向偏压C-V特性曲线有一个电容的最小值C_min,它反映了a-Si:H薄膜的厚度d_(?),提出了一种新的测量a-Si:H簿膜厚度的方法——电容测厚法,它有如下优点:①测量数据可靠...
关键词:MSOS电容器 半导体 薄膜 厚度 测量  
MSOS电容器的研制及其C-V特性分析
《中南民族学院学报(自然科学版)》1996年第1期7-11,共5页龚道本 
在MOS电容器的基础上提出了一种新型的电容器,它是由金属-非晶态半导体-氧化物-半导体4层结构组成的电容器,简称为MSOS电容器,用C-V仪画出了它的C-V特性曲线;并用能带模型对此特性进行了分析,该电容器的特性是通...
关键词:MSOS电容器 耗尽层电容C C-V特性 压控电容器 
MIS电容器的平带电容的计算
《半导体光电》1996年第1期32-34,38,共4页龚道本 
研究半导体表面态常用C-V法,关键是要确定MIS电容器的平带电容(CFB)的值。通常确定CFB的方法是根据所测得的绝缘层电容(最大电容)Ci和衬底杂质浓度──NA或ND去查找以NA或ND作参变量的(CFB/Ci)-C...
关键词:电容器 MIS电容器 绝缘层电容 平带电容 
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