瞬态电压抑制器

作品数：81被引量：180H指数：8
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工艺参数对低电容TVS器件耐压的影响
《固体电子学研究与进展》2015年第2期180-186,共7页陈天 谷健 郑娥 
分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响,最终优化选择了工艺参数并制作了低压TVS器件。低压低电容TVS器件采用集成工艺将低电容二极管与TV...
关键词：瞬态电压抑制器 击穿电压 低电容 
超低压ESD保护器件设计与工艺研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》2008年第3期445-448,共4页淮永进 韩郑生 
介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8～5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低...
关键词：超低压保护器件 静电放电 模拟 复合型穿通结构 瞬态电压抑制器 
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