第一性原理研究

作品数:2525被引量:4095H指数:20
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InSe单层中点缺陷的第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2025年第6期167-173,共7页何诗颖 谢瑞恬 刘娟 邹代峰 赵宇清 许英 廖雨洁 
国家自然科学基金(12204166);湖南省教育厅青年基金(20B219);湖南省自然科学基金(2022JJ30237);湖南科技大学科研启动基金(E51996,纵20240008)。
InSe是Ⅲ-Ⅵ族化合物中的主要成员,由于其具有优异的电学性能,在太阳能电池、固体电池组等领域受到广泛的关注.光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而Ⅲ-Ⅵ族化合物中的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层InSe中点缺陷的Perdew...
关键词:单层InSe 稳定性 形成能 点缺陷 
B位掺杂提升CsSnI_(3)钙钛矿结构和电荷稳定性的第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2025年第6期144-152,共9页赵思健 葛治中 杨旭东 
国家重点研究计划(2018YFB1500104);国家自然科学基金(12274284,11911530142)。
全无机CsSnI_(3)钙钛矿拥有理想的带隙宽度(1.3 eV),光电转化效率理论峰值达到33%.目前CsSnI_(3)太阳能电池的发展受制于的CsSnI_(3)的结构不稳定性和Sn^(2+)易被氧化为Sn^(4+)的问题.研究基于第一性原理,详细探讨了一系列金属元素对CsS...
关键词:全无机锡基钙钛矿 第一性原理 B位掺杂 相稳定性 电子结构 
SiS_(2)/ZnO范德华异质结光催化水分解第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2025年第6期31-36,共6页李家豪 黄欣 杨志红 
基于第一性原理方法,研究了SiS_(2)/ZnO范德华异质结的电子结构和光催化性质.结果表明,SiS_(2)/ZnO异质结是带隙值为1.32 eV的半导体材料,表现出交错排列的能带结构.在异质结界面处,形成了从ZnO指向SiS_(2)的内置电场,该内置电场的存在...
关键词:SiS_(2)/ZnO Z-型范德华异质结 光催化 电子结构 第一性原理 
基于第一性原理研究CO在C_(21)Si上的吸附
《原子与分子物理学报》2025年第5期22-26,共5页张玲 尹成斌 杨蕾 雷声 马贝贝 赵德永 王远 
云南中烟工业有限责任公司重点科技项目(2023CP04)。
通过密度泛函理论(DFT)计算研究了单个CO分子分别在C_(21)Si上的吸附.由于结构中含有21个C原子以及引入一个Si原子,命名为(C_(21)Si).计算了体系中最稳定的几何结构、吸附能、吸附高度和态密度,研究了吸附的CO分子与基底之间的相互作用...
关键词:C_(21)Si 第一性原理 CO 吸附 
五边形石墨烯双层电子性能及磁性调控的第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2025年第5期67-71,共5页吴旌贺 丁雅妮 郭梦雨 陈卫光 王美娟 史金磊 
国家级大学生创新训练计划(202312949001);河南省博士后科研项目(HN2022140);国家自然科学基金青年科学基金(12204431);河南省教育厅高等学校重点科研项目(24B140012,24B140015);河南省重点学科计算机科学与技术资助项目。
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们研究了五边形石墨烯双层结构表面氢氟化对其电子结构及磁性的调控.计算结果表明,氢氟化的五边形石墨烯双层可以在价带顶和导带底出现自旋极化态,从而诱导出磁性且有效降低带隙.基于这一特性,...
关键词:五边形石墨烯双层 电子结构和磁性调控 第一性原理计算 
高压下Fe_(2)S的相变及热力学性质的第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2025年第5期102-107,共6页余柏树 焦亩鑫 杨学楠 曾召益 
重庆市自然科学基金(cstc2020jcyj-msxmX0616)。
本文采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法研究了高压下Fe_(2)S的结构相变、弹性性质和热力学性质.计算表明,当压强增加到124±10 GPa时,Fe_(2)S(Co_(2)P型)的晶格常数发生了突变,轴向比c/a从1.20跃迁到1.35,向C37结构(Co_(2)Si型)转变...
关键词:相变 弹性性质 热力学性质 第一性原理 
Si掺杂对Ga_(2)O_(3)/BP异质结光电性能调控的第一性原理研究被引量:1
《原子与分子物理学报》2025年第4期131-137,共7页李佳宏 郝增瑞 薛瑞鑫 阚红梅 关玉琴 
内蒙古自治区自然科学基金(2023LHMS01004);内蒙古自治区教育厅自然科学项目(NJZY22376);内蒙古工业大学教学改革项目(2022241)。
近年来,氧化镓(Ga_(2)O_(3))是新一代超宽禁带(4.9 eV)半导体,基于优越的热稳定和化学稳定性、高击穿场强和可见光透过率等优点,在日盲紫外探测器和透明光电器件领域中引起了广泛的关注.但是,Ga_(2)O_(3)基光电器件存在迁移率较低而限...
关键词:β-Ga_(2)O_(3)/BP异质结 缺陷 光电性质 第一性原理 
(K_(0.5)Na_(0.5))Nb_(1-x)Ta_(x)O_(3)铁电性的第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2025年第4期138-146,共9页褚新建 雷博程 刘晨曦 刘纪博 
教育部产学合作协同育人项目(202102240014)。
随着铅基陶瓷的大量使用,造成了严重的环境和健康问题,为了能够找寻替代铅基陶瓷的材料,人们开始了对无铅陶瓷材料的探索.(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_(3)材料由于其优异的铁电压电性能,成为了无铅陶瓷材料的代表,但是碱性组分在高温下的高挥...
关键词:第一性原理 钙钛矿结果 KNN 铁电性 
二维GaN中带电缺陷性质的第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2025年第4期147-155,共9页罗子江 毛淇 陈志涛 李改 刘雪飞 王继红 
国家自然科学基金(11664005,62065003);顺德职业技术学院博士科研启动项目(KYQD019);广东省哲学社会科学规划项目(GD23XXW26);广东省教育厅普通高校科研项目重点领域专项(2023ZDZX1092)。
带电缺陷形成能与电荷转移能级对探索材料中n-type或p-type掺杂具有重要指导意义.基于第一性原理方法,本文结合二维带电缺陷校正理论,将半局域泛函电荷转移能级有效转换到杂化泛函精度,对六方二维氮化镓(Hexagonal gallium nitride,h-_(...
关键词:二维GaN 第一性原理 带电缺陷 理论计算 
碳族单质超导性的第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2025年第4期87-92,共6页韩沛辰 林永熠 郑磊 刘其军 刘正堂 高娟 
西南交通大学大学生创新创业训练计划项目(232117)。
同为第四主族的元素,碳、硅、锗、锡、铅具有相似的价电子排布,但超导性却并不相同.锡和铅在常压下即可实现超导,硅和锗则需要在高压下才具有超导性,而碳的常规晶体结构在常压和高压下均尚未发现其超导性.压力在很大程度上是通过改变晶...
关键词:超导性 第一性原理计算 碳族元素 电子结构 
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