探测器芯片

作品数：28被引量：31H指数：3
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相关机构：中国科学院中国电子科技集团第十一研究所昆明物理研究所武汉高芯科技有限公司更多>>
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大面阵锑化铟探测器芯片背减薄工艺技术开发被引量：3
《红外》2023年第2期8-12,共5页李海燕 曹凌霞 陈籽先 黄婷 程雨 
陆军装备军内科研项目(20212C031781);河北省军民科技协同创新专项(20355601D)。
为实现大尺寸锑化铟混成芯片的高质量、高成品率背减薄,介绍了一种单点金刚石车削与磨抛相结合的背减薄工艺。该工艺采用单点金刚石车削技术实现锑化铟芯片大量厚度去除,然后通过旋转磨削工艺进一步去除车削损伤,最终实现了1280×10^(24...
关键词：锑化铟 单点金刚石车削 背减薄 
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