电流峰谷比

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不对称势垒对共振隧穿二极管I-V特性的影响
《微纳电子技术》2010年第11期663-667,共5页武一宾 杨瑞霞 商耀辉 牛晨亮 王健 
国家部委基金项目
利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性。在峰值电流密度为132kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷...
关键词：不对称势垒 共振隧穿二极管(RTD) 电流峰谷比(PVCR) 负微分电阻(NDR) 分子束外延(MBE) 磷化铟 
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