偏置条件

作品数：35被引量：58H指数：5
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考虑弛豫效应的SiC MOSFET阈值电压测量方法研究被引量：2
《电子器件》2023年第1期74-78,共5页王臻卓 任婷婷 
河南省科技攻关项目(212102310086)。
碳化硅(SiC)MOSFET栅极氧化层中的陷阱造就了其独特的阈值电压弛豫效应的特性,使得SiC MOSFET的阈值电压定义和测量成为一个棘手的问题。首先基于弛豫效应的饱和现象,提出了“预偏置+测量”组合的测量方法,一共需要测量两次阈值电压,以...
关键词：SiC MOSFET 阈值电压测量 弛豫效应 预偏置条件 
偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响被引量：1
《电子器件》2011年第5期511-513,共3页何玉娟 罗宏伟 恩云飞 
国家微电子预研项目(51308040403)
通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究,结果发现随着总剂量的增加,光耦合器电流转换率CTR会降低60%～80%,且输入低电流时光耦合器总剂量辐照损伤更严重,其原因可能是输入低电流时光耦合器内部发光二极管辐照过程...
关键词：可靠性 辐照 总剂量 光耦合器 偏置条件 
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