电平位移

作品数：20被引量：40H指数：4
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相关作者：张波方健王卓乔明周泽坤更多>>
相关机构：电子科技大学松下电器产业株式会社成都博思微科技有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《太赫兹科学与电子信息学报》《今日电子》《电子产品世界》更多>>
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一种高可靠性三相全桥IGBT驱动电路的设计被引量：4
《自动化与仪表》2023年第9期1-5,共5页邢鑫怡 程心 王柯凡 金超 
安徽省自然科学基金项目(2108085MF226)。
该文基于X-FAB 1.0μm高压SOI工艺,提出一种适用于600 V高压下的三相全桥IGBT驱动电路,包括输入接口电路、死区时间产生电路、高低压电平位移电路以及其它保护电路。其中针对输入信号可能同时有效的问题,设计了一种可以对输入信号的错...
关键词：IGBT驱动电路 三相全桥 SOI工艺 电平位移 
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