轻掺杂漏

作品数：21被引量：15H指数：2
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击穿18V的高压LDD PMOS器件的研制
《微电子学与计算机》2007年第7期72-75,共4页王晓慧 杜寰 韩郑生 
国家重点基础研究发展计划项目(2003CB314705)
从Synopsys TCAD的软件模拟出发,基于0.8μm标准CMOS工艺,通过重新设计高压N阱,以及优化器件LDD区域注入剂量,成功研制了栅长0.8μm击穿电压达到18V的LDD结构的高压PMOS器件,并实现了低高压工艺的兼容。研制的宽长比为18/0.8的PMOS器件...
关键词：高压PMOS器件 轻掺杂漏 击穿电压 器件模拟 
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