热载流子注入

作品数：42被引量：44H指数：4
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相关作者：章晓文恩云飞唐逸任铮禹玥昀更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司信息产业部电子第五研究所中芯国际集成电路制造(北京)有限公司长江存储科技有限责任公司更多>>
相关期刊：《集成电路应用》《合肥工业大学学报（自然科学版）》《电子器件》《物联网技术》更多>>
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薄硅膜SOI LDMOS器件的HCI劣变机理研究
《微电子学与计算机》2024年第12期132-138,共7页顾祥 张庆东 纪旭明 李金航 赵杨婧 
由于薄硅膜——绝缘体上硅型横向扩散金属氧化物半导体(Silicon On Insulator Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,SOI LDMOS)制作在厚度仅有几十到几百纳米的硅膜上,器件在高电压、大电流的作用下,热载流子注入(Hot Carrier...
关键词：绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 热载流子注入 电荷泵 缺陷 
一种40 V NLDMOS器件热载流子寿命研究
《微电子学与计算机》2024年第9期126-134,共9页鹿祥宾 单书珊 余山 刘芳 钟明琛 邵亚利 
国家电网有限公司科技项目(5500-202156469A-0-5-ZN)。
为了更精确预测基于0.18μm工艺的40 V NLDMOS器件实际应用条件下的热载流子寿命,介绍了一种通过可靠性测试和计算机辅助数学解析相结合的热载流子可靠性寿命预计方法。该方法基于实际直流状态下的热载流注入测试数据,结合TCAD仿真,对...
关键词：40 V NLDMOS 热载流子注入 可靠性 交直流转换因子 寿命预计 Kirk效应 
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