重离子源

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相关领域：核科学技术电子电信更多>>
相关作者：陈启明王维国郭刚李公攀张晓星更多>>
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相关期刊：《北京师范大学学报（自然科学版）》《中国核科技报告》《西安交通大学学报》《航天器环境工程》更多>>
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重离子源类别对SiC MOSFET单粒子效应的影响
《航天器环境工程》2024年第5期625-632,共8页郝晓斌 贾云鹏 周新田 胡冬青 吴郁 唐蕴 赵元富 
国家自然科学基金项目(编号:62204011)。
SiC金属−氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为第三代航天器用半导体器件,在应用前须经过抗单粒子效应试验评估。文章探究重离子加速器恒定式和脉冲式束流源这两种不同类别的辐照源对SiC MOSFET单粒子效应的影响。试验结果表明两种束...
关键词：SiC金属−氧化物半导体场效应晶体管 功率器件 单粒子效应 重离子加速器 仿真研究 试验研究 
CI-140生产型电磁同位素分离器
《中国核科技报告》1997年第S1期58-58,共1页李公攀 苏士俊 林治洲 邓金亭 张月旦 薛绥之 田永福 
CI-140生产型电磁分离器是中国原子能科学研究院为伊朗核农核医研究中心建造的一台同位素分离装置,于1993年正式投入运行生产。产品主要供回旋加速器作靶原料,生产短寿命的放射性同位素。文内给出了分离器的技术指标,介绍了聚焦磁场,强...
关键词：电磁同位素分离器 原子能科学 生产型 放射性同位素 研究院 电磁分离器 重离子源 技术指标 聚焦磁场 回旋加速器 
空心阴极重离子源的研究
《西安交通大学学报》1991年第2期57-60,82,共5页赵文涛 亢孝俭 
本文对一台空心阴极重离子源的放电参数、引出参数之间关系进行了理论分析及详细测量,从中找出离子源最佳的工作状态。文中得到的结论适用于等离子体离子源。调试结果,本离子源稳定地工作于引出总束流强度为0.5-1.0mA,归一化亮度≥2×10...
关键词：离子源 发射面 等离子体 电子温度 
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