注氧隔离技术

作品数：4被引量：1H指数：1
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注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线
《半导体信息》2004年第1期28-28,共1页刘广荣 
据《科技开发动态》2003年第10期报导,该发明专利是利用注氧隔离(SIMDX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。其特征是:将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起;在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线...
关键词：量子线 介质隔离 隔离技术 工艺步骤 纳米器件 氧化工艺 衬底材料 高温退火 离子注入 科技开发 
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