叠层

作品数：1464被引量：2711H指数：17
导出分析报告
相关领域：电子电信电气工程更多>>
相关作者：殷华湘朱慧珑张晓丹赵颖张青竹更多>>
相关机构：长江存储科技有限责任公司旺宏电子股份有限公司中国科学院中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 主题=绝缘x
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
磁控溅射氧化硅和氧化硅/氮化硅/氧化硅薄膜绝缘性能的研究
《真空》2024年第6期15-20,共6页陈玉云 王晓旭 陈远明 沈奕 黄锐 
2023年省科技创新战略专项市县科技创新支撑(大专项+任务清单)项目(STKJ2023053)。
研究了磁控溅射氧化硅(SiO_(2))单层和氧化硅/氮化硅(Si_(3)N_(4))/氧化硅(ONO叠层)的绝缘性能,对多批次、尺寸为4.5 cm×3.5 cm的SiO_(2)单层和ONO叠层进行了绝缘电阻测试。结果表明:ONO叠层的全域绝缘样品比例高于SiO_(2)单层的全域...
关键词：磁控溅射 氧化硅 ONO叠层 绝缘性能 傅里叶红外光谱 无损探测 
绝缘层材料及结构对薄膜晶体管性能的影响被引量：5
《液晶与显示》2017年第5期344-351,共8页李欣予 王若铮 吴胜利 李尊朝 
国家自然科学基金项目(No.51271140;No.61275023)~~
基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响。仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiN_x和HfO_2多种不同...
关键词：半导体器件仿真 薄膜晶体管 绝缘层 氮化硅 二氧化铪 叠层结构 
《叠层母线排用绝缘胶膜》国家标准起草工作会议在苏州吴江召开
《绝缘材料》2017年第4期J0001-J0001,共1页
2017年3月24日，全国绝缘材料标委会《叠层母线排用绝缘胶膜》国家标准起草工作会议于在苏州吴江召开。会议由苏州赛伍应用技术有限公司承办。参加会议的有桂林电器科学研究院有限公司、材料研发制造及应用企业。
关键词：绝缘材料 国家标准 母线排 苏州 吴江 胶膜 叠层 科学研究院 
材料
《电子科技文摘》1999年第9期6-6,共1页
Y99-61526-215 9912693先进栅极介电材料（含4篇论文）=Session 22:ad-vanced gate dielectrics[会,英]//1998 IEEE Symposiumon VLSI Technology（Digest of Technical Papers）.—215～223（V）本部分含4篇论文。篇名是用于未来 CMOS...
关键词：介电材料 叠层栅 工艺 健壮性 栅极 物理发泡绝缘 论文 适用于 篇名 聚乙烯材料 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部