云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 最高振荡频率

最高振荡频率: 作品数：18被引量：13H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘新宇刘果果魏珂黄俊程伟更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所南京电子器件研究所北京工业大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>; 相关期刊：《人工晶体学报》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家部委预研基金北京市科技新星计划国家重点实验室开放基金更多>>

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Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管: 《半导体技术》2013年第8期589-592,608,共5页张效玮贾科进房玉龙冯志红赵正平; 国家自然科学基金资助项目(60890192;60876009); InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结...; 关键词：INALN GaN AlGaN双异质结异质结场效应晶体管(HFET) 附加功率效率碳化硅(SiC) 功率增益截止频率最高振荡频率