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作品数:154被引量:11H指数:2
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100mm InGaP/GaAs HBT及相关电路关键工艺被引量:1
《Journal of Semiconductors》2005年第1期106-110,共5页石瑞英 孙海锋 刘训春 刘洪民 
国家重点基础研究发展计划资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~
对 10 0mmIn0 .49Ga0 .51P/GaAsHBT器件及相关电路制备中的In0 .49Ga0 .51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究 ,解决了器件及电路制备过程中出现的难题 ,尤其是用很简单的方法解决了In0 .49 Ga0 .51P腐蚀过程...
关键词:In0.49Ga0.51P腐蚀 聚酰亚胺平面化 空气桥 
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