磷化镓

作品数:117被引量:106H指数:5
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工艺参数对磁控溅射磷化镓(GaP)薄膜沉积速率的影响被引量:5
《兵器材料科学与工程》2002年第3期30-33,共4页郭大刚 刘正堂 宋健全 耿东生 
航空基础科学基金 (98G5 3 10 4);国防基础科研计划 (J15 0 0E0 0 2 )资助
采用磁控溅射方法成功地在ZnS衬底上制备了磷化镓 (GaP)薄膜 ,并系统地研究了射频功率、气体流量、工作气压、衬底温度等主要工艺参数对GaP膜沉积速率的影响规律。实验表明 ,随着射频功率、气体流量的增加 ,沉积速率逐渐增大 ;工作气压...
关键词:磷化镓薄膜 工艺参数 磁控溅射 沉积速率 红外窗口材料 GAP 
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