临界场

作品数:25被引量:20H指数:2
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相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>
相关作者:马衍伟高召顺张现平齐彦鹏王栋樑更多>>
相关机构:中国科学院南京大学中国科学技术大学中山大学更多>>
相关期刊:《磁性材料及器件》《低温物理学报》《半导体技术》《物理学报》更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家电网公司科技项目中国人民解放军总装备部“十五”预研基金更多>>
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功率快恢复二极管反偏ESD机理分析被引量:2
《半导体技术》2013年第8期629-634,共6页魏峰 吴郁 周新田 周东海 吴立成 贾云鹏 胡冬青 金锐 刘钺杨 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点基金新教师项目(2011110312001);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以...
关键词:静电放电(ESD) 快恢复二极管(FRD) 人体模型(HBM) 雪崩注入 临界场  背景掺杂 
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