单电压

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ATF-52189/ATF-53189:高线性度E-pHEMT FET产品系列
《世界电子元器件》2005年第4期86-86,共1页
安捷伦科技公司日前宣布在其高线性度E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)FETs(场效应管)产品系列中增加两款采用4.5mm×4.1mm×1.5mm行业标准表面封装的SOT-89新产品。通过采用行业标准封装,ATF-52189和ATF-53189及早先推出...
关键词:E-PHEMT 高线性度 产品系列 增强模式伪形态高电子迁移率晶体管 FET 安捷伦科技公司 行业标准 表面封装 场效应管 单电压 基站 
6GHz单电压E—pHEMT FET
《世界电子元器件》2002年第12期91-92,共2页
关键词:6GHz 单电压 E-PHEMT FET 安捷伦公司 电源 
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