云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 单电压

单电压: 作品数：38被引量：103H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电气工程更多>>; 相关作者：汪宁田犁章琦汪辉陈波更多>>; 相关机构：三星SDI株式会社佛山市清极能源科技有限公司罗伯特·博世有限公司浙江大学更多>>; 相关期刊：《电源世界》《机床与液压》《世界电子元器件》《半导体信息》更多>>

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用于功率变换器的IGBT驱动核心电路——单电压等级供电的简单高效的门极驱动和保护电路: 《电源世界》2006年第5期53-55,共3页Markus Hermwille; 除了功率模块以外，每个电力电子系统都还有另外一个关键部件——IGBT驱动电路，它们是功率晶体管和控制器之间非常重要的接口电路。因此，选择适当的驱动电路就和逆变器整体方案的可靠性紧密相关。与此同时，驱动电路还应该具备最广泛...; 关键词：IGBT驱动电路功率变换器保护电路电压等级门极驱动电力电子系统功率晶体管电子逆变器微控制器供电

Absopulse DC／DC转换器: 《电子产品世界》2006年第09X期52-52,共1页Charles Naumann 方; Absopulse推出了RWY282双向输出的推挽DC／DC转换器。该产品为铁路以及其它恶劣环境中的关键应用而设计，这种高密度转换器提供完全的280W电源模块，密封在4．4×7．9×2．4的外壳内，重约2．9英镑。标准RWY282具有两个独立的调节输出...; 关键词：DC/DC转换器电源模块最大功率电压范围传导冷却高密度单电压

安捷伦科技进一步丰富其适用于无线基础设施的经济型SOT-89高线性度E-pHEMT FET产品系列: 《网络电信》2005年第6期72-72,共1页; 该产品经济地增加了50MHz-6 GHz基站的通道容量中国北京-安捷伦科技公司(Agilent Technologies)日前宣布，在其高线性度E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)FETs(场效应管)产品系列中增加两款采用4．5mm×4．1mm×1．5mm行业标...; 关键词：E-PHEMT 高线性度产品系列无线基础设施增强模式伪形态高电子迁移率晶体管 FET 经济型安捷伦科技公司适用丰富行业标准表面封装场效应管 GHz 单电压容量通道基站推出

双向DC-DC变换器的控制模型被引量：74: 《中国电机工程学报》2005年第11期46-49,共4页张方华朱成花严仰光; 双向DC-DC变换器在不同的功率流向时,存在不同的控制模型。有学者认为,对于能量双向流动的闭环系统,单电压环补偿不能实现闭环稳定工作,而状态反馈可以实现闭环稳定。该文以Buck/Boost双向DC-DC变换器为例构建试验平台,通过双向控制模...; 关键词：DC-DC变换器控制模型 Boost 功率流向闭环系统双向流动稳定工作状态反馈试验平台 BUCK 试验验证动态性能试验系统电压环 C系统单电压 PID 补偿

ATF-52189／ATF-53189：高线性度E-pHEMT FET产品系列: 《世界电子元器件》2005年第4期86-86,共1页; 安捷伦科技公司日前宣布在其高线性度E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)FETs(场效应管)产品系列中增加两款采用4．5mm×4．1mm×1．5mm行业标准表面封装的SOT-89新产品。通过采用行业标准封装，ATF-52189和ATF-53189及早先推出...; 关键词：E-PHEMT 高线性度产品系列增强模式伪形态高电子迁移率晶体管 FET 安捷伦科技公司行业标准表面封装场效应管单电压基站

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