单电子存储器

作品数：15被引量：13H指数：2
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相关作者：王太宏孙劲鹏李志扬刘武李钱光更多>>
相关机构：中国科学院华中师范大学南京大学湖南大学更多>>
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复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟被引量：1
《电子学报》2004年第11期1793-1795,共3页闾锦 施毅 濮林 杨红官 杨铮 郑有炓 
国家自然科学基金 (No .60 2 360 1 0 ;No .60 2 2 50 1 4 ) ;江苏省自然科学基金重点项目
本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET...
关键词：复合量子点 单电子存储器 电路模拟 
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