单电子晶体管

作品数：179被引量：164H指数：6
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高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性
《Journal of Semiconductors》2007年第1期69-72,共4页陈杰智 施毅 濮林 龙世兵 刘明 郑有炓 
国家自然科学基金(批准号:60225014);江苏省自然科学基金(批准号:DK2004211)资助项目~~
为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度,提高增益调节系数,发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化的制备工艺.在室温下对器件的电学特性进行测量,观察到了典型的库仑振荡效应和负微分电导效应.基于量...
关键词：单电子晶体管 库仑阻塞 库仑振荡 负微分电导 
单电子数据转换电路
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期265-267,共3页欧晓斌 吴南健 
提出了两种新型的由单电子晶体管、MOS管和电容组成的数模转换(ADC)和模数转换(DAC)电路.这种混合ADC和DAC电路可在室温条件下工作且负载能力大,功耗低.对这种混合单电子晶体管和MOS管的ADC和DAC电路进行了仿真,仿真结果表明两种电路能...
关键词：单电子晶体管 MOS管 数模转换 模数转换 
基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第9期1148-1153,共6页吕明 蒋建飞 蔡琪玉 
提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型 .该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效应的模拟更加方便 ,并提高了单电子晶体管特性的模拟精度 .此外 ,该宏模型结构简单 ,可以利用极小的计...
关键词：单电子晶体管 库仑阻塞 宏模型 蒙特卡罗方法 
电容耦合三结单电子晶体管特性分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第8期603-608,共6页童明照 蒋建飞 蔡琪玉 
国家自然科学基金
本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较．结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结单电子...
关键词：电容耦合 三结 晶体管 单电子晶体管 
单电子晶体管放大器的数值分析被引量：7
《Journal of Semiconductors》1997年第8期626-630,共5页沈波 蒋建飞 
国家自然科学基金
本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型，研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性．结果表明：单电子晶体管放大器具有灵敏度高，功耗低等优点，缺点是由于几率工作，工作条件受到严格的限制．
关键词：单电子晶体管 放大器 单电子隧道效应 
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