模型参数提取

作品数：37被引量：73H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：韩郑生卜建辉徐跃杭徐锐敏陈志聪更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所电子科技大学清华大学西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《Science Bulletin》《河北工业大学学报》《电子与信息学报》《中国测试》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金国际科技合作与交流专项项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
CMOS器件热载流子注入老化的SPICE建模与仿真
《半导体技术》2023年第10期902-910,共9页王正楠 张昊 李平梁 
为了准确预测芯片电路寿命,建立了一种能成功双向预测CMOS器件寿命和器件老化程度的可靠性模型。结合改进的衬底电流方程、漏源电流和时间变量t,组建了Age(t)模型。通过挑选合适的BSIM4模型参数,联合Age(t)方程构建指数函数关系式,建立...
关键词：热载流子注入(HCI) 可靠性仿真 老化模型 模型参数提取 SPICE模型 
GaN HEMT器件微波噪声模型参数提取
《半导体技术》2015年第7期507-511,共5页李静强 胡志富 崔玉兴 刘会东 
介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件建模的噪声模型,Pucel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型。基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件本征噪声参数推导Pucel噪声模型参数的过程,并且给出了微波噪声模...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 噪声 模型 参数提取 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部