接触式开关

作品数：3被引量：4H指数：1
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智能电能表的开盖异常分析及优化被引量：1
《上海计量测试》2021年第6期33-36,共4页王睿 赵长枢 许文刚 杨东翰 
基于智能电能表在实际应用中的开盖记录异常情况,详细分析了其产生原因。在此基础上,针对智能电能表的开盖异常提出以光电检测装置代替传统接触式开关进行优化的建议,对光电检测回路的原理和结构进行分析,通过实验检测论证了优化设计的...
关键词：智能电能表 开盖记录 接触式开关 光电检测 
用于制备高机械可靠性RF MEMS开关的新型工艺被引量：3
《光学精密工程》2008年第7期1213-1217,共5页胡光伟 刘泽文 侯智昊 李志坚 
国家自然科学基金资助项目(No.60576048);北京市科委基金资助项目(No.GYYKW05070014)
对介质桥串联接触式RF MEMS开关的制备工艺进行了研究。介绍了开关的结构,说明了采用常规制备工艺容易在桥膜上形成应力集中,严重影响开关的机械可靠性。通过改进工艺,提出了一种侧向钻蚀刻蚀介质桥膜下金属的方法,获得了平坦的介质桥...
关键词：MEMS开关 接触式开关 机械可靠性 侧向钻蚀 寿命 
用于MEMS开关的低应力氮氧化硅桥膜
《微细加工技术》2007年第3期48-53,59,共7页胡光伟 刘泽文 张忠惠 侯智昊 李志坚 
北京市科委基金资助项目(GYYKW05070014)
给出了用于微机电(MEMS)开关悬浮桥的低应力氮氧化硅(SiOxNy)薄膜的制备工艺研究结果,分析了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备低应力薄膜的影响因素,通过改变反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比,用PECVD方法生成系列SiOxNy薄膜样品。利...
关键词：氮氧化硅 低应力 PECVD MEMS开关 接触式开关 
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