多层金属化

作品数：14被引量：12H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张聪施明哲章晓文费庆宇林晓玲更多>>
相关机构：中国电子科技集团公司济南市半导体元件实验所信息产业部电子第五研究所合肥工业大学更多>>
相关期刊：《森林工程》《半导体技术》《山东半导体技术》《中国新通信》更多>>
相关基金：黑龙江省自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微电子技术x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
多层金属化中的钨插塞技术被引量：3
《微电子技术》2003年第1期13-15,共3页李红征 谢一强 
本文介绍了亚微米ULSI工艺中 ,采用钨插塞 (TungstenPlug)制作接触孔与通孔的技术 ,对于WCVD、WEtchback及其常见工艺问题作了一些分析 ,此项技术已经用于C 0 5电路的工艺流片。
关键词：多层金属化 钨插塞 台阶覆盖 覆盖式钨淀积 WCVD 粘着层 钨反腐 CMOS集成电路 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部