结构和光学性质

作品数：485被引量：1216H指数：15
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六方Al_(4)SiC_(4)弹性性质、电子结构和光学性质的第一性原理计算
《原子与分子物理学报》2025年第3期166-172,共7页刘运芳 张飞跃 冯嘉怡 李文广 刘正堂 
广西科技基地和人才专项项目(桂科AD19110122);广西高校中青年教师科研基础能力提升项目(2019KY0376)。
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法系统地研究了Al_(4)SiC_(4)的晶体结构、弹性常数、电子结构和光学性质,并对结果进行了理论分析.计算得到的晶格常数和弹性常数均与实验值及其它计算值相符,并说明了六方Al_(4)SiC_(4)的...
关键词：Al_(4)SiC_(4) 电子结构 光学性质 第一性原理 
稀土硼酸盐双折射材料的电子结构和光学性质的第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2025年第1期171-179,共9页努尔比耶·图尔洪 刘鸿涛 崔秀花 刘静 姜轶 井群 
国家自然科学基金(11864040,51962033,12264047);新疆维吾尔自治区天山英才工程项目(2022TSYCJU0004);新疆大学2021年度大学生创新训练计划项目(双折射率和倍频效应的差异性响应机制研究S202110755087)。
近年来,稀土(RE)硼酸盐材料因其丰富的结构和优异的光学性质,引起人们广泛关注.使用第一性原理高通量筛选工具获得五个性能优异的短波长稀土硼酸盐材料,并进一步研究了他们的电子结构和光学性质.研究结果表明,这些材料的紫外截止边和双...
关键词：稀土硼酸盐 第一性原理 双折射率 
Sc-N共掺杂β-Ga_(2)O_(3)电子结构和光学性质的第一性原理研究
《中国陶瓷》2025年第1期26-33,共8页区力函 李海侠 陈春宇 陈尚举 
广西自然科学基金(2021GXNSFAA220091)。
基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Sc单掺杂、N单掺杂和Sc–N共掺杂β-Ga_(2)O_(3)的晶格常数、电子结构以及光学性质。研究结果表明本征β-Ga_(2)O_(3)的带隙为1.99 eV,掺杂后所有掺杂体系的带隙变小,且均为直接带隙半导体,电...
关键词：第一性原理 β-Ga_(2)O_(3) 电子结构 光学性质 
4d过渡金属掺杂单层WS_(2)的电子结构和光学性质研究
《人工晶体学报》2025年第1期77-84,共8页张宁宁 鱼海涛 刘艳艳 薛丹 
WS_(2)凭借独特的物理和化学性质,在电子和光学领域展现出巨大的应用潜力。基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,本文旨在研究单个4d过渡金属原子X(X=Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd)替代掺杂单层WS_(2)的电子结构和光学性质。结果表明,过渡...
关键词：二维材料 单层WS_(2) 第一性原理 掺杂 电子结构 光学性质 
Eu、Mn掺杂双钙钛矿Ca_(2)InNbO_(6)的电子结构和光学性质的第一性原理分析
《集成电路应用》2024年第12期392-393,共2页何利芳 罗姣莲 
阐述一种共掺杂模型,该模型通过Eu和Mn离子进行掺杂,实现材料体系内电子载流子能力增强、导电性增强,并提高了该材料的光吸收范围以及能力。
关键词：双钙钛矿 Ca_(2)InNbO_(6) 电子结构 光学性质 
基于密度泛函理论下O和Na掺杂单层h-BN的电子结构和光学性质的分析被引量：1
《原子与分子物理学报》2024年第6期6-12,共7页周国建 彭章娥 刘琳 罗剑平 
国家自然科学基金重点项目(12032016)。
基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了O、Na单掺杂及O和Na共掺杂单层h-BN的形成能、电子结构和光学性质.结果表明:单掺杂体系中,O掺杂N位置、Na掺杂B位置时,掺杂形成能最低;共掺杂体系中,O和Na邻位掺杂,掺杂形成能最低.与单层h-BN相...
关键词：单层h-BN 第一性原理 掺杂 电子结构 光学性质 
六方CaCuCh(Ch=N、P、As、Sb、Bi)电子结构和光学性质的第一性原理计算
《功能材料》2024年第12期12185-12191,共7页罗颖熙 李文静 李晓敏 李玉婷 刘其军 刘正堂 白志鑫 
2023年国家大学生创新创业训练计划项目(202310613084);西南交通大学第二十二期重点实验室开放项目(ZD202313001);西南交通大学实验教学研究与改革项目(20221106,20222417)。
近年来,p型透明导电非氧化物材料受到了诸多研究者的广泛关注。基于密度泛函理论的第一性原理方法,优化了六方非氧化物CaCuCh(Ch=N、P、As、Sb、Bi)的几何结构,并计算分析了其电子结构和光学性质。计算结果表明,CaCuP、CaCuAs和CaCuSb...
关键词：CaCuCh 电子结构 光学性质 
Ge_(1-x-y)Si_(x)Sn_(y)合金能带结构和光学性质的理论研究
《人工晶体学报》2024年第12期2131-2140,共10页顾永顺 温淑敏 
内蒙古自治区自然科学基金(2024LHMS01011);内蒙古工业大学2023年校级“大学生创新创业训练计划项目”(2023093019)。
SiGeSn合金材料具有高的载流子迁移率和较长的载流子寿命,能够与互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容,并具有独特的光学性质和较高的热力学稳定性,是一类在光电子领域极具应用潜力的半导体材料。本文构建了总原子个数为144,Si、Sn原子个数...
关键词：SiGeSn 能带结构 光学性质 第一性原理 GGA+U 
Y和C掺杂AlN电子结构和光学性质的第一性原理研究
《中国陶瓷》2024年第11期30-36,共7页陈春宇 李海侠 区力函 张锦浩 
广西自然科学基金(2021GXNSFAA220091)。
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对本征AlN、Y掺杂AlN、C掺杂AlN以及Y和C共掺杂AlN的电子结构和光学性质进行了研究。结果表明,掺杂后能带带隙均减小,其中Y和C共掺杂AlN带隙最小,电子发生跃迁概率最大,从而增强了AlN的导电性。...
关键词：ALN 第一性原理 电子结构 光学性质 
Cu∶Co∶Mg∶LiNbO_(3)晶体电子结构和光学性质
《西华师范大学学报（自然科学版）》2024年第5期539-545,共7页陈小奇 张耘 刘林凤 
重庆市自然科学基金项目(cstc2019jcyj-msxmX0451)。
基于第一性原理研究了LiNbO_(3)晶体及不同Mg浓度下的Cu∶Co∶LiNbO_(3)晶体的电子结构和光学性质。Cu∶LiNbO_(3)和Co∶LiNbO_(3)晶体禁带宽度分别为3.279 eV和3.333 eV,在带隙中出现的杂质能级主要由Cu 3d和Co 3d轨道贡献。在抗光折...
关键词：三掺铌酸锂晶体 第一性原理 电子结构 光学性质 抗光折变 
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