云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 近贴聚焦

近贴聚焦: 作品数：22被引量：43H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>; 相关作者：徐江涛李野桂建保徐珂程耀进更多>>; 相关机构：中国科学院北方夜视技术股份有限公司西安应用光学研究所长春理工大学更多>>; 相关期刊：《光电子技术》《光子学报》《长春理工大学学报（自然科学版）》《真空电子技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金更多>>

EBCMOS近贴聚焦结构及电场分布对电子运动轨迹的影响被引量：6: 《中国光学》2020年第4期713-721,共9页王巍李野陈卫军宋德王新; 国家自然科学基金资助项目(No.11874091);吉林省科技厅重点科技研发项目(No.20180201034GX)。; 为获得高分辨率的电子轰击型CMOS(EBCMOS)成像器件,本文就近贴聚焦结构内电场分布对电子运动轨迹的影响进行了研究。设计了不同的EBCMOS结构并得到3种电场分布情况,分别为光电阴极和背面轰击型CMOS(BSBCMOS)之间的等势面不平行、部分平...; 关键词：微光像增强器电子轰击成像近贴聚焦结构 EBCMOS

微光夜视技术的发展现状及民用领域拓展被引量：5: 《中国军转民》2016年第10期71-74,共4页李金平王云张洋; 微光夜视技术是现代军用光电子高新技术之一,在局部战争和夜战中的地位和作用更加突出和重要。六十多年来,伴随着科学技术的迅速发展和武器装备现代化需求的牵引,微光夜视技术取得了长足的发展。本文在系统回顾微光夜视技术发展历程的...; 关键词：微光夜视武器装备现代化像增强器阴极灵敏度光阴极技术发展历程亮度增益光电阴极夜天光近贴聚焦

Aging behavior of large area MCP–PMT: 《Nuclear Science and Techniques》2016年第2期136-140,共5页Wen-Wen Wang Sen Qian Ming Qi Jing-Kai Xia Ya-Ping Cheng Zhe Ning Yue-Kun Heng Shu-Lin Liu Shu-Guang Si Jian-Ning Sun Dong Li Xing-Chao Wang Guo-Rui Huang Jing-Shou Tian Yong-Lin Wei Hu-Lin Liu Wei-Hua Li Xing Wang Li-Wei Xin; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11175198 and 11475209);the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences(Grant Nos.XDA10010200 and XDA10010400); The Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences have designed a new type of photomultiplier tube(PMT) based on microchannel plates(MCPs) with large area photocathode, known as large area microchannel...; 关键词：MCP-PMT 面积老化行为光电倍增管高能物理研究所微通道板中国科学院近贴聚焦

4×4矩阵阳极微通道板光电倍增管的研制被引量：2: 《光电子技术》2015年第3期214-216,共3页丁继华; 4×4矩阵阳极微通道板光电倍增管由金属陶瓷管壳、多碱光电阴极、"V"型微通道板和4×4矩阵阳极构成,电子光学系统为双近贴聚焦结构,光谱响应范围为400~900nm,暗电流小于0.5nA,脉冲上升时间小于1ns,最大脉冲线性电流大于10mA,具有位置分...; 关键词：多阳极多碱光电阴极近贴聚焦上升时间

V型级联微通道板纳秒响应近贴聚焦像增强器研究: 《真空科学与技术学报》2015年第4期457-460,共4页徐江涛杨晓军徐珂刘蓓蓓李丹; 为解决单片微通道板(MCP)近贴聚焦像增强器在强脉冲光照射下输出图像失真、脉冲响应时间慢的问题,对光电阴极面电子发射过渡过程进行理论分析,得出半导体阴极发射层电阻大、光电阴极和荧光屏与MCP间的距离大、器件增益低是造成器件响应...; 关键词：V型级联像增强器微通道板纳秒响应

近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析: 《真空电子技术》2011年第5期58-60,共3页徐江涛程耀进张太民李敏师宏立刘蓓蓓侯志鹏刘峰祝婉娉; 为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。; 关键词：近贴聚焦成像器件管体注铟熔层气泡铟锡合金层

近贴聚焦成像器件光电阴极传递封接工艺研究被引量：1: 《真空电子技术》2009年第6期60-62,共3页程耀进徐江涛徐珂侯志鹏师宏立刘峰; 依据近贴聚焦系列成像器件研究的需要,开展了光电阴极真空传递封接工艺研究,并且结合器件的研制对封接工艺质量进行了可靠性的考核。结果证明,用InSn合金焊料进行光电阴极真空传递封接,其工艺稳定,性能质量可靠,封接气密性成品率高。这...; 关键词：近贴聚焦成像器件阴极传递封接气密性

共面线多阳极大面积光电倍增管的研制: 《光学技术》2009年第3期347-350,共4页牛丽红杨勤劳廖华雷保国阔晓梅; 国家自然科学基金资助项目(10575072); 提出了一种新型的基于共面线结构的多阳极光电倍增管(CPWMA-PMT),可实现大的工作面积、反射式光电阴极和近贴式聚焦方式。阐述了CPWMA-PMT的工作原理,分析了设计与研制中的关键问题。对所研制的CPLMA-PMT进行了参量测试,验证了在近贴聚...; 关键词：光电倍增管共面线多阳极反射式光电阴极近贴聚焦

双近贴聚焦微光像增强器分辨力理论极限问题研究被引量：15: 《应用光学》2008年第3期351-353,共3页向世明; 分辨力和MTF是微光像增强器的2个重要参数。根据线性系统傅里叶频谱理论,分析了微光像增强器的MTF和分辨力特性。计算出理想条件下,基于光阴极/M CP/荧光屏3部件结构以及带内电子增益机制的光阴极/荧光屏2部件结构的近贴聚焦像管的理论...; 关键词：微光像增强器像增强器微通道板(MCP) 近贴聚焦分辨力 MTF 傅里叶频谱

快速纳秒响应二代近贴聚焦像增强器的批量生产: 《真空电子技术》2006年第6期45-47,共3页徐江涛; 叙述了二代近贴聚焦像增强器批量生产所用真空设备性能及特点,同时给出了管子工艺考核结果及管子纳秒时间响应特性。工艺考核结果表明,制管工艺可靠、性能稳定,管子批量生产合格率大于70%。; 关键词：快速纳秒响应近贴聚焦批量生产合格率

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