多晶硅发射区

作品数：5被引量：5H指数：1
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77K多晶硅发射区双极型晶体管被引量：3
《电子学报》1992年第8期23-28,共6页郑茳 王曙 王燕 吴金 魏同立 童勤义 
国家自然科学基金
本文介绍了适于77K工作的多晶硅发射区双极型晶体管,给出了在不同工作电流条件下的电流增益的温度模型。结果表明在小电流条件下电流增益随温度下降而下降得更为剧烈,并且讨论了在不同注入情况下,浅能级杂质的陷阱作用对截止频率的影响。
关键词：77K 硅双极晶体管 发射区 
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