多晶硅发射区

作品数：5被引量：5H指数：1
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多晶硅发射区双极晶体管低温器件模型被引量：2
《微电子学与计算机》1991年第10期41-44,23,共5页吴金 郑茳 魏同立 
在理论分析和实验结果的基础上。建立起多晶硅发射区双极晶体管的低温(77K)模型.该模型由于考虑了低温下的多子与少子冻析效应、禁带宽度变窄效应、多晶硅发射区晶体管的发射效率增强效应及注八等器件物理效应.因而能够比较精确地模拟...
关键词：双极晶体管 低温 器件模型 
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