多晶硅发射区

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多晶硅发射区低温晶体管电流输运模型的理论分析
《应用科学学报》1996年第3期325-331,共7页吴金 魏同立 
国家自然科学基金
对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用，建立了发射区注入电子电流Ｊｎ和基区注入空穴电流Ｊｐｓ的一维非线性解析模型．该模型可适...
关键词：多晶硅发射区 低温 双极晶体管 电流输运模型 
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