多晶硅发射区

作品数：5被引量：5H指数：1
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性能优良的RCA微波功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2003年第2期178-182,共5页蔡勇 张利春 高玉芝 金海岩 叶红飞 张树丹 
首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱...
关键词：RCA 微波功率晶体管 多晶硅发射区 氯化层 电流增益 双极功率晶体管 直流增益 
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