多孔硅微腔

作品数：18被引量：22H指数：3
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电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔被引量：4
《Journal of Semiconductors》2002年第3期272-275,共4页徐少辉 熊祖洪 顾岚岚 柳毅 丁训民 侯晓远 
国家自然科学基金资助项目 (No.5 983 2 10 0 )~~
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ...
关键词：多孔硅 微腔 光致发光 窄峰发射 电化学脉冲腐蚀法 
用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1127-1130,共4页熊卫华 熊祖洪 陆昉 
上海市科委资助项目~~
利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究 ,在光电流谱中观察到 λ1 =742 nm主峰 .同时也对多孔硅微腔的 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量 ,结合有效折射率方法和菲涅耳公式 ,对照 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱 ,对...
关键词：光电流谱 多孔硅微腔 PL谱 光电特性 
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