绝缘层厚度

作品数：17被引量：49H指数：3
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相关机构：无锡华能电缆有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司京东方科技集团股份有限公司中华映管股份有限公司更多>>
相关期刊：《中国设备工程》《通讯世界》《西藏科技》《绝缘材料》更多>>
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Ta_2O_5绝缘层厚度对ZnO基薄膜晶体管器件性能的影响(英文)被引量：7
《发光学报》2011年第2期188-193,共6页周帆 张良 李俊 张小文 林华平 俞东斌 蒋雪茵 张志林 
supported by the National Natural Science Foundation of China(60777018,60776040);"863"project(2008AA03A336)~~
报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件。从实验结果可以得出如下结论:随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增...
关键词：TA2O5 绝缘层 氧化性薄膜晶体管 磁控溅射 表面形貌 
绝缘层方势垒影响下N-I-d波超导体结的隧道谱
《低温物理学报》2007年第3期192-195,共4页魏健文 
江苏省教育厅自然科学基金(项目编号:04KJD140036)资助的课题~~
以方势垒描述N-I-d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了N-I-d波超导体结的隧道谱.研究表明:(1)绝缘层厚度在不同纳米量级下的隧道谱形状各异,...
关键词：方势垒 绝缘层厚度 N-I-d波超导体结 隧道谱 
自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算被引量：3
《物理学报》2003年第11期2912-2917,共6页李统藏 刘之景 王克逸 
对自旋极化电子从铁磁金属通过绝缘层薄膜注入半导体时的自旋极化率与绝缘层厚度以及所加偏压的关系等作了计算 .所得结果与最新实验结果相符 ,并发现偏压适中、绝缘层较厚时有较大的电流自旋极化率 ,偏压很小时电流自旋极化率几乎为零 .
关键词：铁磁金属 自旋极化电子注人 自旋极化率 绝缘层厚度 隧道磁电阻 非零偏压 半导体极化理论 
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