绝缘衬底

作品数：47被引量：63H指数：4
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一种新型SGOI SiGe异质结双极型晶体管被引量：1
《微电子学》2019年第5期735-740,共6页于明道 王冠宇 苗乃丹 文剑豪 周春宇 王巍 
国家自然科学基金资助项目(61404019,61704147)
为了改善SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的电学特性和频率特性,设计了一种新型的SGOI SiGe HBT。在发射区引入了双轴张应变Si层。多晶Si与应变Si双层组合的发射区有利于提高器件的注入效率。利用Silvaco TCAD软件建立了二维器件结构模型,...
关键词：绝缘衬底上硅锗 硅锗异质结双极晶体管 电流增益 特征频率 
基于SOS/SOI绝缘衬底的Si/SiGe HBT设计
《微电子学》2004年第4期421-424,共4页史辰 陈建新 杨维明 
北京市自然科学基金资助(4032005)
　着重讨论了衬底阻抗对HBT器件频率性能的劣化机制。基于双口网络理论,定量分析了fT和fm与衬底电阻率的关系;采用SOS/SOI绝缘衬底和自行设计的岛型隔离方法,抑制了绝大多数容性寄生参数;同时,围绕绝缘衬底进行Si/SiGeHBT的横向/纵向结...
关键词：SOS/SOI 异质结双极晶体管 衬底阻抗 岛膈离 发射极自对准 HBT 
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