互补金属氧化物半导体工艺

作品数：24被引量：37H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王志功朱恩王立果吴微赵文虎更多>>
相关机构：东南大学杭州电子科技大学天津大学电子科技大学更多>>
相关期刊：《固体电子学研究与进展》《光通信研究》《传感器与微系统》《红外与毫米波学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划江西省科技厅青年科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种高线性度CMOS混频器的设计被引量：1
《半导体技术》2007年第2期117-120,共4页吴明明 叶水驰 
国家973科研计划项目(51312)
采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度。采用TSMC 0．18μm RF CMOS模型进行了电路仿真。仿真结果:在电源电压为1．8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10．3 dBm,输入1 dB压缩点(P-1dB)为-3．5 dBm,增益为9．2 dB,单边带噪声系数为17...
关键词：双平衡混频器 互补金属氧化物半导体工艺 射频集成电路 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部