单片集成技术

作品数：10被引量：6H指数：1
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相关机构：电子科技大学华中科技大学中国工程物理研究院电子工程研究所四川众为创通科技有限公司更多>>
相关期刊：《红外与毫米波学报》《固体电子学研究与进展》《太赫兹科学与电子信息学报》《半导体光电》更多>>
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基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术被引量：1
《电源学报》2019年第3期53-56,共4页倪金玉 孔岑 周建军 孔月婵 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402802)~~
基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2V,击穿电压VBD达到700V,...
关键词：单片集成 p-GaN帽层 增强型GaN功率电子器件 数字电路 
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