灰化

作品数：555被引量：1656H指数：15
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ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善
《液晶与显示》2020年第12期1264-1269,共6页查甫德 徐纯洁 李根范 张木 崔立加 冯耀耀 朱梅花 杨增乾 刘增利 陈正伟 郑载润 
为改善TFT特性,采用感应耦合等离子体(ICP)设备进行4-Mask光刻胶(PR)灰化工艺,光刻胶剥离后源/漏数据线边缘、TFT沟道和其他像素区出现了线性的a-Si膜层残留。本文研究了光刻胶灰化工艺条件对a-Si膜层残留的影响,结果表明压力、偏压射...
关键词：感应耦合等离子体 灰化 膜层残留 物理刻蚀 氧化 
增强型等离子体耦合干法刻蚀条件对PR胶灰化的影响被引量：8
《液晶与显示》2012年第2期204-207,共4页王亮 王文青 李鑫 吴成龙 郑云友 宋泳珍 李伟 李正勳 
通过改变压力、O2和SF6的流量研究干法刻蚀增强型阴极等离子耦合模式下对PR胶灰化速率、均匀性、H/V比值的影响。研究结果表明:在一定范围内随着压力的不断增大,PR的刻蚀速率逐渐增大,同时刻蚀的均匀性也逐渐变好,H/V逐渐变大;增加单组...
关键词：干法刻蚀 增强型阴极等离子耦合 PR灰化速率 
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