混晶

作品数：423被引量：952H指数：12
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半导体可饱和吸收镜锁模的钒酸盐混晶Nd∶Gd0.1Y0.9VO4激光器
《物理学报》2009年第9期6269-6272,共4页曹士英 朱月 柴路 王清月 张志刚 
采用Nd∶Gd0.1Y0.9VO4晶体作为增益介质和Z形腔结构,分析比较了腔内加入自行设计的镀和不镀高反膜的半导体可饱和吸收镜(SESAM)对激光锁模的影响.在腔内加入镀膜SESAM后,激光锁模阈值由1.69 W下降为1.45W,并且锁模更稳定.在2 W抽运功率...
关键词：Nd∶Gd0.1Y0.9VO4激光器 半导体可饱和吸收镜 连续锁模 
新型钒酸盐混晶Nd∶Gd_(0.42)Y_(0.58)VO_4/Cr^(4+)∶YAG被动调Q锁模特性研究被引量：8
《中国激光》2005年第10期1429-1432,共4页卓壮 姜其畅 苏艳丽 李涛 李健 
山东省科技厅科技攻关计划(031080125)资助项目
研究了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶的激光运转特性。采用Cr4+∶YAG晶体作为被动可饱和吸收体,实现了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶的调Q锁模激光运转。实验测量了不同Cr4+∶YAG初始透过率情况下激光器的输出特性。在Cr4+∶YAG初始透过率T0=86.3%,...
关键词：材料 Nd:Gd0.42 Y0.58 VO4混晶 CR^4+:YAG晶体 调Q锁模 半导体激光抽运 
GaP_(1-x)N_x混晶中新束缚态的研究被引量：2
《发光学报》2004年第2期168-172,共5页吕毅军 高玉琳 林顺勇 郑健生 张勇 MascarenhasA 辛火平 杜武青 
国家自然科学基金(60276002);福建省自然科学基金(A0110007)
利用变温光致发光(PL)谱及时间衰退发光谱研究了一系列CaP_(1-x)N_x混晶的光学性质。GaP_(1_x)N_x混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带降降低的趋势。测量结果显示,在组分x≥0.24％...
关键词：变温光致发光谱 混晶 三-五族半导体材料 带隙弯曲 时间衰退发光谱 激活能 
半导体物理
《电子科技文摘》2002年第6期32-32,共1页
N2002-07534 0210592电子情报通信学会技术研究报告:电子器件ED2000-162～168(信学技报,Vol.100,No.369)〔汇,日〕/日本电子情报通信学会.-2000.10.-42P.(L) 本文集为化合物混晶半导体器与材料专辑。
关键词：电子情报 技术研究报告 半导体物理 通信学会 半导体技术 结构分析 微波部件 混晶 热载流子 生长技术 
光电导型混晶Si_(1-x)Ge_x波导探测器被引量：1
《高技术通讯》2000年第5期39-42,共4页庄婉如 郑有炓 朱顺明 刘夏冰 黄永箴 
国家自然科学基金资助项目!( 6963 60 10 )
首次报导了光电导型混晶Si1-xGex 波导探测器。混晶Si1-xGex 是在硅基SiON/SiO2 /Si上用快速加热超低压化学气相淀积生长并经 6 50℃退火 30min得到的。探测器宽 10 μm ,长 2mm。探测器加上 2 0V偏置电压时 ,探测灵敏度在 0 0 2 2～ 0...
关键词：硅基光电子器件 光探测器 光电子集成 半导体 
混晶GaAs_(1-x)P_x∶N中N_X带的发光瞬态过程研究
《厦门大学学报（自然科学版）》1997年第2期216-220,共5页俞容文 黄旭光 郑健生 颜炳章 
国家和福建省自然科学基金;中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室资助
采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．
关键词：Ⅲ-Ⅴ族 半导体 杂质 发光瞬态过程 混晶半导体 
混晶半导体材料GaAs_（1－x）P_x：N（x＝0．4）光致发光谱研究
《厦门大学学报（自然科学版）》1996年第6期876-879,共4页林之融 俞容文 郑健生 颜炳章 
国家和福建省自然科学基金
采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同行为，求得在不同的温度区间内，Ｎг及Ｎｘ不同的...
关键词：混晶 光致发光 束缚激子 砷化镓 半导体材料 
氢原子在混晶半导体Si_xGe_(l-x)表面上的化学吸附
《辽宁大学学报（自然科学版）》1992年第2期34-41,共8页丛书林 
本文采用2×2矩阵相干势近似和格林函数方法研究了氢原子在混晶半导体Si_xGe_(1-x)表面上的化学吸附,给出了化学吸附能和电荷转移随Si的百分比浓度的变化曲线,计算结果表明:(1) 化学吸附能随Si含量的增加而减小;(2) 电荷转移随Si浓度的...
关键词：CPA 化学吸附 混晶 半导体 氢原子 
掺杂、无序和混晶半导体的晶格振动行为
《物理》1990年第3期153-153,192,共2页陆卫 沈学础 
关键词：掺杂 无序 混晶 半导体 晶格振动 
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