极性半导体

作品数：22被引量：21H指数：3
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Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除
《半导体光电》2002年第1期63-65,共3页刘翔 吴长树 张鹏翔 赵德锐 陈庭金 廖仕坤 杨家明 
云南省自然科学基金资助项目 (99E0 0 0 9Q)
极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长 ,普遍选用 (10 0 )面Si材料作衬底 ,外延时由于Ga ,As原子占据不合适的晶格位置 ,通常导致结构缺陷———反相畴产生 ,而选用(10 0 )面偏向 [0 11]方向 4°或 (2 11)面的Si作衬底 。
关键词：极性半导体 非极性半导体 反相畴 
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