固相外延生长

作品数：9被引量：6H指数：1
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横向固相外延生长及其影响因素的研究被引量：1
《半导体技术》1998年第5期51-53,共3页罗南林 杨春晖 刘百勇 
对非超高真空条件下在有ＳｉＯ２图形的硅单晶衬底上用离子束溅射淀积非晶硅薄膜，经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究，得出了有利于Ｌ－ＳＰＥ生长的材料参数和工艺处理条件。
关键词：固相外延 绝缘层上硅单晶 溅射 二氧化硅 
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