关断损耗

作品数：45被引量：70H指数：5
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ST推出先进的1200 V IGBT
《半导体信息》2014年第4期6-7,共2页江安庆 
2014年7月8日,意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,In-sulated-GateBipolarTransistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正(PFC,Power-FactorCorrec-tion)转换器等应用的...
关键词：意法半导体 太阳能逆变器 关断损耗 功率因数校正 不间断电源 ST V IGBT 导通损耗 饱和电压 
飞兆半导体公司推出新型1200 V IGBT模块
《半导体信息》2005年第1期30-31,共2页章从福 
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种新型1200 V TGBT模块—— FMG2G50US120和FMG2G75US120,它们的电流额定值分别为50 A和75 A,具有经优化的导通损耗(VCE(sat))与关断损耗(Eoff)),提供非常低的总功率损耗,适于焊接设备。
关键词：V IGBT模块 飞兆半导体 关断损耗 焊接设备 导通损耗 功率损耗 逆变器 反偏 最大偏差 穿通 
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