光敏二极管

作品数：150被引量：184H指数：6
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黑硅微结构光敏二极管被引量：3
《半导体光电》2015年第6期892-894,共3页王文革 李华高 龙飞 李睿智 李平 张昌丽 李益 
与平面硅相比,黑硅对0.25～2.5μm波长光具有高吸收特性。为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构。在1 064nm波长,探测器红外响应达到0.518A/W,比常规探测器量子效率...
关键词：金属辅助刻蚀 黑硅 光敏二极管 量子效率 
光敏三极管光电特性被引量：1
《半导体光电》1998年第4期277-281,共5页石仲斌 
给出理想光敏三极管的一种等效电路计算模型，在一维条件下得到理想光敏三极管的电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系式。这些公式比较全面地描述了器件的基本特性，可以用作计算机辅助分析和设计的基本模型。利用所得方程计算光敏三极管在不同工...
关键词：光敏三极管 光电特性 注入光敏器件 光敏二极管 
高阻P型硅PN结中的光电转换被引量：3
《半导体光电》1998年第3期208-209,共2页陈杰 
用高阻Ｐ型硅（ρ＝１２０００Ω·ｃｍ）单晶材料制作了ＰＮ结光敏二极管，对二极管的光电参数进行了测量。在激光辐射下，测出样管在光照前后的Ｃ—Ｖ实验曲线及样管在光照前后的电容相对变化可达到１００％，远大于低阻Ｐ型硅ＰＮ结...
关键词：半导体光电器件 光敏二极管 光电容 PN结 
点状PN结中的光电转换
《半导体光电》1997年第1期47-50,60,共5页尹长松 黄黎蓉 
用N型硅单晶材料制作了点状PN结光电二极管 ,对二极管的光电参数进行了测量。若依平面结的受光面积计算 ,在同样的光辐射下 ,点状PN结光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的 2 0 0倍以上。分析表明 ,在光探测机制上...
关键词：半导体光电器件 光敏二极管 光电转换 PN结 
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