硅片直接键合

作品数：30被引量：64H指数：5
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SDB／MCT新型功率器件的研究被引量：2
《微电子学与计算机》1995年第2期54-55,共2页唐国洪 陈德英 周健 
本文探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的电参数设计和工艺设计，通过计算机模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）材料，在实验室制成了ＮＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２Ｖ的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ２的阳...
关键词：功率器件 硅片直接键合 MCT 
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