硅片直接键合

作品数：30被引量：64H指数：5
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硅片直接键合杂质分布的模型与模拟被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第8期887-891,共5页张佩君 黄庆安 
教育部科学与技术研究资助项目 (No .0 0 0 65 )~~
根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型 ,得到了键合后硅片中杂质的浓度分布 .并利用MATLAB软件 ,编写了键合工艺模拟程序 ,计算结果与实验进行了比较 .该模型可以为相关器件的研究提供参考 .
关键词：硅片直接键合 本征氧化层 扩散 微机电系统 功率器件 
自封闭低压硅场致发射二极管的研究
《电子学报》1996年第8期115-117,共3页秦明 黄庆安 魏同立 
国家自然科学基金;国防科技预研基金
本文首次利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术实现了具有一定真空度的自封闭硅微二极管．实验测得该４０×４０阵列场发射二极管的开启电压只有５Ｖ左右，发射电流在２５Ｖ时可达１０－４Ａ量级．文中还对键合形成的微真空腔的机理进行了详...
关键词：真空微电子学 自封闭二极管 硅片直接键合 
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