硅外延片

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无夹层P型高阻硅外延材料制备研究
《科技视界》2018年第14期79-80,共2页周幸 
P型高阻硅外延片作为制备光电器件的关键支撑材料,对电阻率提出极高要求,单在生长过程中极易出现夹层而影响后续器件性能。本文通过对外延过程中的杂质浓度变化趋势研究,通过分阶段主动控制P型补偿杂质,成功制备了电阻率大于1500cm的P...
关键词：硅外延片 P型高阻 高阻夹层 
对N型外延预处理方法的研究
《科技视界》2012年第25期196-198,共3页张佳磊 
外延层电阻率是外延片的重要特征参数之一,如何准确地测量外延层的电阻率,以满足半导体器件研制的要求,是检验人员关注的一项重要的课题。对目前N型测试片大都是用电容电压法来测试,但实践中经常出现曲线斜的问题,通过做了大量的实验,...
关键词：半导体器件 硅外延片 电容电压法 电阻率 
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