硅雪崩光电二极管

作品数：22被引量：80H指数：4
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相关作者：史冠男付士杰张海伟姚建铨史伟更多>>
相关机构：中国科学院华东师范大学中国科学技术大学中蕊(武汉)光电科技有限公司更多>>
相关期刊：《Optoelectronics Letters》《轻兵器》《光学学报》《半导体光电》更多>>
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1×10硅雪崩光电二极管单片列阵
《半导体光电》1980年第1期83-84,共2页程泰平 
随着空间高密度通信技术的不断更新和发展,将发光器件和光电探测器件列阵化已成了当务之急。因为与用相同数量的分立器件组合起莱的装置相比,列阵化后的器件装置不仅体积小,而且比较容易实现与纤维光缆耦合。此外,列阵上只加一个电压源...
关键词：硅雪崩光电二极管 单管 响应度 单片 台面结构 光电流 击穿电压 光通量 光流 
高效快速的硅雪崩光电二极管
《半导体光电》1980年第1期24-31,共8页朱华海 
本文报导了高效,快速的保护环硅雪崩光电二极管(GAPD)和拉通型雪崩光电二极管(RAPD)。为使 GAPD 消除光电流中的扩散慢分量,在理论上分析和计算了零场区对它的影响。通过单晶片背面蚀洞减薄,并在背面作硼扩散构成内建场,以便在不增加工...
关键词：击穿电压 保护环 器件 工作电压 锁模 单晶片 硅雪崩光电二极管 耗尽层 蚀洞 内建场 激光脉冲 光电流 耗尽区 激光器 光激射器 电子器件 结深 RAPD 环境温度变化 光生载流子 温度补偿电路 过剩噪声因子 电子漂移 信号电流 渡越时间 
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