硅栅器件

作品数：6被引量：3H指数：1
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WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》1996年第4期348-351,共4页竺士炀 林成鲁 高剑侠 李金华 
用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线...
关键词：高温特性 BESOI CMOS 硅栅器件 
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