横向扩散金属氧化物半导体

作品数：33被引量：42H指数：4
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横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管特性与应用
《科技信息》2010年第34期138-138,141,共2页王婷 耿夫利 卓丽 
LDMOS以其大功率、高线性度和高效率等优点得到广泛的应用。借助二维数值模拟器MEDICI,采用宏模型的建模概念与方法,给出了LDMOS的等效电路模型,用于电路仿真器HSPICE,取得了较好的仿真结果。模型的建立可以很好地指导LDMOS器件的应用。
关键词：LDMOS 功率晶体管 晶体管建模 
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