单异质结

作品数：12被引量：34H指数：3
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一个新的单异质结InGaP/GaAs HBT模型
《微波学报》2006年第3期40-44,共5页刘军 孙玲玲 
国防科技重点实验室基金(No.51491010105DZ0401);浙江省重大国际合作项目(No.2004C14004)资助课题
对VB IC B JT模型用于Ⅲ-V族化合物HBT器件建模的可行性进行了讨论和借鉴,结合UCSD HBT模型优点,提出一个新的可精确用于单异质结InGaP/GaAsHBT模型,并用于该类器件建模。测量和模型仿真I-V特性及多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明...
关键词：VBIC模型 UCSD模型 INGAP/GAAS HBT模型 宽带放大器 
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