复合纳米结构

作品数：36被引量：62H指数：4
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Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2001年第1期63-68,共6页杨红官 施毅 卜惠明 吴军 赵波 张荣 沈波 韩平 顾书林 郑有炓 
国家教育部博士点专项基金;江苏省自然科学基金! (No.BK990 49)资助项目
这一研究工作模拟计算了 Ge/ Si复合纳米结构 MOSFET存储器的擦写和存储时间特性。结果表明 ,Ge/ Si复合纳米结构存储器在低压下即可实现 μs和 ns量级编程。与 Si纳米结构存储器相比 ,由于 Ge/ Si复合势阱的作用 ,器件的电荷保留时间...
关键词：锗 硅 纳米结构 存储器 数值模拟 电荷存储特性 复合材料 MOSFET 
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