雪崩光电探测器

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英特尔公司在硅基雪崩光电探测器件研究中取得重要进展
《中国集成电路》2009年第1期2-2,共1页
英特尔公司12月8日宣布在硅基雪崩光电探测器（Silicon-based Avalanche Photodetector）研究方面实现了创纪录的商陛能，这款雪崩光电探测器使用硅和CMOS工艺实现了有史以来最高的340GHz“增益-带宽积”。
关键词：雪崩光电探测器 英特尔公司 光电探测器件 硅基 增益-带宽积 CMOS工艺 
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