雪崩击穿

作品数：48被引量：94H指数：4
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缓冲层对二极管反向雪崩击穿耐量影响的仿真研究被引量：1
《电源技术应用》2015年第1期42-45,共4页刘修伟 关艳霞 潘福泉 
利用SilvacoTCAD仿真软件对p＋n—n＋结构二极管在反向击穿情况下的电场分布进行了仿真分析，雪崩载流子浓度的升高改变了耗尽区的电荷密度，因此电场分布形状发生改变，当雪崩击穿电流达到一定值时，在nn＋结处出现第二个电场尖峰，从...
关键词：双雪崩 电流丝 缓冲层 雪崩击穿耐量 
IGBT动态过电压失效的研究
《电源技术应用》2014年第1期45-49,共5页郑翔 关艳霞 潘福泉 
绝缘栅型双极晶体管（IGBT）过电压击穿是一种常见的失效形式。由于电路中存在杂散电感，关断时会产生瞬间的高电压而引起动态雪崩击穿。通常误认为发生雪崩击穿是造成IGBT过压失效的根本原因。针对此问题，基于IGBT基本结构和PN结雪崩...
关键词：绝缘栅型双极晶体管 动态雪崩击穿 热失效 
功率MOSFET雪崩击穿问题分析被引量：5
《电源技术应用》2003年第12期45-48,共4页李意 尹华杰 牟润芝 
分析了功率 MOSFET 雪崩击穿的原因,以及 MOSFET 故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时 MOSFET 雪崩击穿过程不存在"热点"的作用,而电气量变化却十分复杂。寄生器件在 MOSFET 的雪崩击穿中起着决定性...
关键词：双极性晶体管 功率MOSFET 雪崩击穿 寄生晶体管 能量耗散 
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